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电子元器件详细资料 » IC[30241] » UMZ1NT1
型号:UMZ1NT1类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS AMP COMP DUAL GP SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANS AMP COMP DUAL GP SOT363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型NPN,PNP
电流_集电极(Ic)111最大222200mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 10mA,100mA / 300mV @ 10mA,100mA
电流_集电极截止111最大2222µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)200 @ 2mA,6V
功率_最大250mW
频率_转换114MHz,142MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司林0755-83258002
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北京三盛恒业电子有限公司陈小姐028-87781882
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